在现代电子学与光电子学领域中，光电二极管作为一种重要的半导体器件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。为了深入了解光电二极管的工作原理及其实际应用，本实验将通过一系列详细的测量步骤，来研究半导体光电二极管的伏安特性。

首先，在实验开始之前，我们需要准备必要的设备，包括但不限于直流电源、数字万用表、示波器以及测试电路板等。确保所有仪器均处于良好工作状态，并正确连接好电路。

接下来是具体的测量过程：

1. 将光电二极管按照正向偏置条件接入电路中；

2. 调节直流电源输出电压至设定值，并记录此时流经二极管的电流；

3. 改变电源电压，重复上述操作，直至获得一组完整的数据；

4. 然后切换为反向偏置状态，同样记录不同电压下的电流值；

5. 最后绘制出正向与反向偏置条件下对应的伏安曲线图。

通过对这些数据进行分析，我们可以得出以下结论：

- 在正向偏置区域内，随着电压增加，电流迅速上升；

- 当达到一定阈值后，电流增长趋于平缓；

- 在反向偏置情况下，即使施加较高电压，漏电流也非常小；

- 光照强度的变化会对光电二极管的导电能力产生显著影响。

此外，在实验过程中还应注意安全事项，比如避免过大的电流导致元件损坏；同时也要注意保护眼睛免受强光刺激。如果发现异常情况应立即停止操作并检查原因。

总之，通过本次实验不仅能够掌握如何测定半导体光电二极管的伏安特性，还能加深对这一类器件物理机制的理解，为进一步深入学习相关知识打下坚实基础。